氧化是在硅圆片表面形成一层二氧化硅(Si0₂)的工艺。二氧化硅是有效的介质，可以用于印制电路板制造的元件，比如电容和MOS图典型净化间和三个级别的净化间管。

在印制电路板制造中，由于它可以阻止掺杂，而且可以很容易地用化学试剂去除，所以二氧化硅在掺杂工艺中也可以作为理想的掩模。根据氧化速率的要求，通过在纯氧气氛下加热圆片至900〜1200°C获得二氧化硅。氧气中加人水蒸气可以加速氧化。与硅片表面接触的氧原子扩散穿过氧化层与里面的硅原子结合，二氧化硅就会在硅片上生长增厚。

随着氧化层的生长，印制电路板制造的元件，氧原子到达硅的时间会变长，所以氧化层的生长速率会变慢。在1200°c下和干氧中生长0. 2μm厚的氧化层需要大约6分钟;然而如果把氧化层加厚两倍到0. 4μm，则需要220分钟或者说36倍的时间。

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