在共晶键合工艺中，pcb快速打样基板先预热到约200°C以减少热冲击，然后转到约400°C的平台上。硅管芯再由已加热的拾放器拾起以进一步减小热冲击，热拾放器的尺寸大小与管芯相同，且与一个小的真空泵相连从而可以拾起管芯。拾放器还与一个马达相连，可以提供机械摩擦以帮助键合。
由拾放器拾起管芯并将其送至基板上相应的金属化图形上。简单地将管芯与加热的pcb快速打样基板相接触是不会自动键合的，pcb快速打样材料必须要处于合适的比例才行。该步骤通过将管芯在金金属化层上机械摩擦而完成。
在摩擦过程中，将会随机地在界面上某处形成共晶合金并熔化。接着就会加速熔化更多的pcb快速打样材料直到整个界面成为液态并形成键合。大于0.020英寸X0.020英寸（0.5mmX0.5mm)的器件在机械摩擦时易发生芯片破裂，因而需要一层金-硅层以完成键合。
共晶工艺具有很好的键合(机械上、电学上和热学上）性能，但是高的键合温度从多方面考虑都是极度不利的，而且pcb快速打样工艺通常只适用于单芯片的应用。当要求冶金键合时，焊料焊接是最好的工艺。要焊料焊接的半导体器件通常会在管芯底部做一层钛-镇-银合金。
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