夹紧金属丝再从楔形焊点上方拉断，并如前述过程一样，再形成另外一个球。热压键合由于以下种种原因已很少使用：

•pcb快速打样高的基板温度以致不能使用环氧树脂来固定器件。

•键合所需温度高于形成金-铝金属间化合物的阈值温度。铝扩散人金的速率

远大于金扩散入铝的速率。pcb快速打样硅器件上的铝接触层十分薄，当它扩散人金时，会在键合区域内形成空洞，也叫做Kirkendall空洞，这些空洞会增大键合区的电阻，并且会降低机械强度。

•热压键合作用不能有效地去除表面痕量污染物，而表面污染物会干扰键合过程。超声键合工艺（见图12. 42)使用超声波能量在表面振动引线丝，使两者的原子晶格在表面相互结合。在键合界面处由于摩擦运动和在铝引线上的氧化物帮助下产生的局部加热有助于形成键合。而基板本身并没有加热。金属间化合物的形成也没有像热压键合工艺中那么严重，因为引线和器件金属化层都是铝。pcb快速打样的基板金属化层的金同铝引线连接时所产生的K^kendall空洞亦不严重，因为比起器件上的金属化层，铝引线有足够多的铝提供扩散。超声键合在第一次和第二次键合中都是楔形焊。

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